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发布日期:2024-12-09 03:17    点击次数:63

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证据BusinessKorea的报谈,SK海力士在NAND技艺方面的上风依然特殊了,尽头是在\"单位堆叠\"技艺方面取得了上风,而且正在向三星在 NAND 闪存商场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的\"321 层\"NAND 闪存芯片将大幅擢升性能,这要归功于额外的单位层。SK 海力士依然在 HBM 商场上给三星带来了不小的冲击开云体育(中国)官方网站,这对该公司来说是一个遑急的里程碑。

虽然 SK Hynix 是一家相对\"小畛域\"的公司,但它在 HBM 领域为(NVIDIA)等东谈主工智能巨头争取到的订单以至跳动了三星。

SK Hynix 最新推出的 321 层 NAND 芯片将为商场带来显耀的性能擢升,芯片的层数比上一代技艺加多了 35%,数据传输速率提高 12%,读取性能提高 13%,能效提高 10%以上。

三星一直格外总结 SK Hynix 在商场上的进展,自V-NAND被发明以来,该公司被称为垂直堆叠单位的\"前驱\",不错大批加多层数从而擢升存储密度和性能。 但是,跟着 SK Hynix 可能在这一领域取得起首地位,三星在 NAND 领域的主导地位似乎可能会受到挑战。

SK Hynix 在 NAND 领域的起首地位天然令东谈主诧异,但必须指出的是,领有高效的 NAND 坐褥线一样遑急,而且鉴于三星在这一领域的统领地位,SK Hynix 将很难振奋为雄。 但是,三星的低迷证实,再加上工艺问题迟迟难以惩办导致新客户的插足受阻,给了 SK 海力士一个庞杂的空缺。

SK 海力士和三星的竞争害不仅是一个买卖问题,亦然一个文化问题,两家公司齐参与了在韩国商场的主导地位的竞争。



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